В тысячу раз быстрее, чем флеш

Intel представила новый класс памяти, который позволяет обрабатывать данные в тысячу раз быстрее, чем популярный сейчас стандарт флеш. Об этом глава корпорации Брайан Кржанич сообщил на конференции IDF 2015 в Сан-Франциско. Разработка уже получила свой бренд – Optane. Так и будет называться линейка высокоскоростных устройств на базе новой технологии, которую компания представит в 2016 году.

Технология была создана совместно с компанией Micron, при этом за основу была взята энергонезависимая память 3D Xpoint. По сути разработка – это нечто среднее между NAND (флеш-память) и DRAM (формат оперативной памяти). Optane работает даже когда нет источника питания, как и флеш, но намного превосходит ее по скорости, приближаясь к показателям оперативной памяти.

В рамках выступления Брайана Кржанича была проведена реальная презентация возможностей технологии. Она показала, что средняя скорость прототипа в семь раз превышает скорость самого быстрого SSD-накопителя Intel P3700. Причем такая высокая производительность сохраняется даже при длине очереди команд в единицу.

В Intel отметили, что Optane может использоваться в различных сферах, в частности, в компьютерных играх. С ее помощью сцены в игре будут отображаться мгновенно, а не спустя некоторое время, через которое они загрузятся с дискового накопителя.

Планируется, что технология будет реализована в серийном производстве в рамках линейки высокоскоростных и надежных твердотельных накопителей Intel SSD в следующем году. Компания также планирует поставлять модули оперативной памяти на основе Optane, которые будут применяться для серверов.

Флеш-память была фактически изобретена инженером компании Toshiba Фудзио Масуокой в 1984 году, а название технологии дал его коллега Сёдзи Ариидзуми, которому процесс стирания содержимого памяти напомнил фотовспышку. В 1988 году Intel выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа. Принцип действия технологии флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области полупроводниковой структуры.