Флэш-память становится вместительнее

Компания Toshiba объявила о выпуске новых модулей флэш-памяти NAND с самой высокой плотностью записи емкостью 2 и 1 гигабайт. Они изготовлены с применением 56-нм техпроцесса, который был разработан в сотрудничестве с компанией SanDisk Corporation.

При производстве чипов используется технология многоуровневого расположения запоминающих ячеек MLC (multi-level cell), которая позволяет существенно увеличить емкость чипа при сохранении его размеров. Начало поставок новых модулей ожидается к концу первого квартала этого года.